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記憶體廠華邦電（2344）3x奈米DRAM去年第4季順利進入量產，今年第1季產能陸續開出，位元出貨量明顯拉高，DRAM單位製造成本也大幅降低。由於DRAM現貨價及合約價持續調漲，華邦電在溢價差擴大下，獲利將大幅好轉，加上NAND flash及NOR flash打進蘋果、三星等供應鏈，今年對華邦電來說將是大好年。
另外，華邦電的Fab C新廠在去年底裝機，今年第1季也開始投片，同樣以3x奈米DRAM為投片主力，最快今年中就可開始挹注營收，單位製造成本亦大幅降低，將可為華邦電營運帶來明顯的成長動能。
工商時報【涂志 >個人小額借款 豪╱台北報導】
華邦電DRAM製程已有6年沒有微縮，而近幾年全球DRAM市場進行整合，華邦電不想買授權只做代工，所以自行投入研發 提高技術能力，終於在去年完成3x奈米世代DRAM技術研發，而且3x奈米DRAM已在去年第4季投片，今年第1季開始有陸續開出產能。
市場傳出華邦電3x奈米DRAM量產順利，打進一線車廠及手機廠供應鏈，股價昨日大漲0.8元， >桃園身分證借款 以10.85元作收，成交量放大到77,756張，外資及自營收合計買超11,522張。
華邦電第4季認列轉投資微控制器（MCU）廠新唐的營收因淡季而降低，但受惠於DRAM及NAND flash價格調漲，去年第4季合併營收季增0.4％達107.75億元，為10年來季度營收新高。去年全年合併營收420.92億元，年成長率達9.8％。
華邦電雖然主攻利基型DRAM市場，但去年下半年標準型DRAM價格大漲，利基型DRAM價格也在去年第4季出現10％左右漲幅，而今年第1季可望再調 漲10～15％。法人指出，華邦電的DRAM成本下降，但銷售價格卻調漲，獲利溢價明顯擴大，就算營收不變，獲利也會明顯提升。華邦電DRAM都完成高規格的工控及車規認證，所以已順利打進歐美日韓一線汽車客戶，並傳出與英特爾數據機晶片搭載出貨給手機廠。
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